
PRODUCT CENTER
产品中(zhōng)心
漏源电压BV DSS (V)(Min.): | 600 |
导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.): | 65 |
导通电(diàn)阻(zǔ)rDS(on)(mΩ)(Max.): | 70 |
最大漏极电流Id(on)(A): | 47 |
通道极性: | N沟道 |
封装/温度(℃): | TO-247-3L/-55~125 |
描述: | 600V,70mΩ,47A,N沟道基于(yú)超级结技术(shù)的功率MOSFET |
-
产品中心
-
应用方案
-
技术支持
-
新闻资讯(xùn)
-
关于我们

添加官方客服 快速申请样品

关注(zhù)官方(fāng)微信公众号 随时(shí)掌握最新(xīn)动态
版权所有©2021 武汉云开和芯源半(bàn)导体有限公司
鄂公网安备 42018502005668号 | 鄂(è)ICP备2022001247号

-
服务热线(xiàn)
全(quán)国咨(zī)询电话:
18002584030(微(wēi)信同号(hào))
商务合作:
胡女士:13689515916(微信同(tóng)号) janney@icchain.com
-
微(wēi)信咨询
-
样品申(shēn)请