云开

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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      480

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      600

      最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      7

      通道极（jí）性：

      N沟道

      封（fēng）装/温度(℃)：

      TO-251-3L/-55~125

      描述：

      650V,600mΩ,7A,N沟（gōu）道（dào）基于超级结技术（shù）的功率MOSFET


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