云开

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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      120

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      140

      最大漏极电（diàn）流Id(on)(A)：

      25

      通道极（jí）性：

      N沟道

      封装（zhuāng）/温度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述：

      550V,140mΩ,25A,N沟道（dào）基于超（chāo）级（jí）结技术的功率MOSFET



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