云开

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    2. 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      65

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      70

      最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

      47

      通道极性（xìng）：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述：

      600V,70mΩ,47A,N沟道（dào）基于超级结技术（shù）的功率MOSFET



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