云开

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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      700

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      380

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      430

      最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

      11

      通道极（jí）性：

      N沟道

      封（fēng）装/温（wēn）度(℃)：

      TO-252-2L(DPAK)/-55~125

      描述（shù）：

      700V,430mΩ,11A,N沟（gōu）道（dào）基于（yú）超级（jí）结技术的功率（lǜ）MOSFET


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