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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      550

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通电阻（zǔ）rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极（jí）电流（liú）Id(on)(A)：

      20

      通道（dào）极性：

      N沟道

      封装/温度（dù）(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描（miáo）述：

      550V,190mΩ,20A,N沟道（dào）基于超级结技术的功（gōng）率MOSFET


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