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    2. 漏源电压（yā）BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      120

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      150

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      24

      驱动电压(V)：

      10

      通（tōng）道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-247-3/-55~125

      描（miáo）述：

      600V,150mΩ,24A,N沟道基于超级结技术的功率（lǜ）MOSFET


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