云开

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    2. 漏源电压BV DSS (V)(Min.)：

      600

      导通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      83

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      99

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      40

      通道极性（xìng）：

      N沟（gōu）道（dào）

      封装/温（wēn）度(℃)：

      TO-263-2L(D2PAK)/-55~125

      描述：

      600V，99mΩ，40A，N沟（gōu）道基于超级结技术的功率MOSFET



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