云开

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    2. 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导通（tōng）电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大漏极电流Id(on)(A)：

      20

      通（tōng）道极性：

      N沟（gōu）道

      封装/温度(℃)：

      TO-252-3L/-55~125

      描述（shù）：

      650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET



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