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    2. 漏源电（diàn）压BV DSS (V)(Min.)：

      700

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      380

      导通电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      430

      最大漏极电流（liú）Id(on)(A)：

      11

      通道（dào）极性（xìng）：

      N沟（gōu）道（dào）

      封装/温度(℃)：

      TO-220F-3L/-55~125

      描述：

      700V,430mΩ,11A,N沟道基于超（chāo）级（jí）结技（jì）术的功率MOSFET


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