云开

  • <run class="paxsu"></run>

    2. 漏源（yuán）电压BV DSS (V)(Min.)：

      650

      导通电（diàn）阻rDS(on)(mΩ)(Typ.)：

      170

      导（dǎo）通（tōng）电阻rDS(on)(mΩ)(Max.)：

      190

      最大（dà）漏极电流Id(on)(A)：

      20

      通道极性：

      N沟道

      封装/温度(℃)：

      TO-247-3L/-55~125

      描述（shù）：

      650V,190mΩ,20A,N沟道基于超级（jí）结技术的功率MOSFET



      云开

      云开