CW32L010系列产品是（shì）基于 eFlash 的单芯片低功耗微控制器，集成（chéng）了主频高达 48MHz 的 ARM® Cortex®-M0+ 内核、高速嵌入（rù）式存储器（多至 64K 字节 FLASH 和多至 4K 字节 SRAM）以及一系列全面的增（zēng）强（qiáng）型（xíng）外（wài）设（shè）和 I/O 口。

内（nèi）部框图（tú）

所有型号都提供（gòng）全套的通信接（jiē）口（二路（lù） UART、一（yī）路 SPI 和（hé）一路 I2C）、12 位高速 ADC、四组通用（yòng）和（hé）基本定时器（qì）、一组低功耗定时器以及（jí）一组高级控制 PWM 定时器（qì）。

CW32L010 可以（yǐ）在 -40℃到 85℃的温度范围内工作，供电电压宽（kuān）达 1.62V ~ 5.5V。支持 Sleep 和（hé） DeepSleep两种低功（gōng）耗工作（zuò）模式CW32L010 可以（yǐ）在 -40℃到（dào） 85℃的温（wēn）度范围内工作，供电（diàn）电压宽（kuān）达 1.62V ~ 5.5V。支持（chí） Sleep 和DeepSleep两种低功耗（hào）工作模式。

确保高访问速度：可确保指令（lìng）的快速执（zhí）行，满足实（shí）时性要求高（gāo）的（de）应用场景。

易于升级迭代：在（zài）同（tóng）等成本下，扩大（dà）存储（chǔ）容量，为用户（hù）提供同级最（zuì）宽裕的程序和非易失存（cún）储空间，使得产品在面临功能升级或迭代时，能够更加（jiā）灵（líng）活地进行（háng）软件更新和扩展。

减少EEPROM依赖：通过（guò）提供充足的（de）非易失性存储，减少了对外部EEPROM的依赖，降低了（le）系统（tǒng）成本和复杂性（xìng）。

耐用（yòng）性更高：Flash擦写寿命（mìng）高（gāo）达10,000次（cì），符合标杆要求（qiú），确保（bǎo）了（le）产品（pǐn）的长期稳定运行。

2、黑客级代码安全防护（hù）

在（zài）微（wēi）控制器（MCU）领（lǐng）域，保护用户的（de）代码和知识产权（quán）至（zhì）关重（chóng）要。CW32L010系列MCU，以其创新（xīn）的安全特性，为（wéi）用户（hù）提供（gòng）了一个坚不可摧的代码保（bǎo）护解决方案。

尽管目（mù）前（qián）大多数MCU都支持多种安（ān）全等级，阻止（zhǐ）通过SWD/ISP接口读取Flash内容。但通过（guò）下载间谍程序，用（yòng）挟持（chí）内（nèi）核（hé）的（de）方式（shì）对Flash指令（lìng）区做数据访问（wèn）一（yī）般都被允许。

CW32L010系列产品可以阻（zǔ）止这个入侵，我们允许用户划定一（yī）块指令存储区域，只能通过（guò）指（zhǐ）令总线取指令（lìng）执（zhí）行，不允（yǔn）许通过（guò）数据（jù）总线访问（wèn）数据。在这个区域内，即使攻击者尝试通过下（xià）载（zǎi）间谍程序挟持内核（hé），也无（wú）法访问这（zhè）块被保护的（de）存储区域。用户可（kě）以将包含（hán）敏感算法和关键功能的（de）代码库存储在该区域（yù），确（què）保（bǎo）这些核（hé）心（xīn）资产只能被调用（yòng），无（wú）法被复制或篡改。

超低功耗工作模式非（fēi）常多，一般用户（hù）较关注待机（jī）电流（liú）（常温/高温）、全速运（yùn）行电流等几个主要指标。

CW32L010采用特别工艺制程，将待机电流控制在0.3uA，高温待机电流是竞（jìng）品平均水平的1/4~1/8。

5、RTC补偿（cháng）精度是0.060ppm，支持亚秒级（jí）读数

CW32L010在（zài）设计时对RTC补偿（cháng）机制（zhì）进行了优化（huà），可选择32，128，256秒为一（yī）个（gè）补偿周（zhōu）期，最精细（xì）的（de）补偿精度可达到（dào）0.060ppm，支（zhī）持亚秒级（jí）读数。

6、全（quán）面升级的（de）低功耗串口，支持LIN、RS485硬件使能

低功耗（hào）串口（kǒu）接（jiē）收数据可（kě）灵（líng）活配置接口电平，可产生关键字中断和（hé）帧超（chāo）时（shí）中（zhōng）断，支持（chí）LIN、RS485硬件使能、TXD和RXD互换及内（nèi）部回环功（gōng）能、LSB/MSB硬件（jiàn）转换。

7、85℃ Latch Up测试成绩优异，闩锁门限测试成（chéng）绩高达（dá）±600mA

在MCU的（de）设计和应用中，静电放电（ESD）的防护能力（lì）是衡量产（chǎn）品可靠性的重要指标之一。其中高温（wēn）Latch Up（闩锁）测试可以说明一定问（wèn）题，CW32L010在高（gāo）温（wēn）Latch Up（闩锁）测试中表（biǎo）现出色，闩锁门限（xiàn）测试成绩高达±600mA，远（yuǎn）高于（yú）行业一般水平，相比竞品一般水平为3~6倍。强大的ESD防（fáng）护能够保护MCU内（nèi）部数据（jù）不受静（jìng）电放电的影响以及在各种环境下（xià）的长（zhǎng）期稳定运（yùn）行。

8、16路ADC输入（rù）2M采样率，采样保持时间可独立配置（zhì）

9、内部时钟源特（tè）性无惧挑剔

CW32L010系列产品提供 QFN20、TSSOP20、SOP16 三种不同的封装形（xíng）式（shì），不同封装的产（chǎn）品所（suǒ）能实现的（de）功（gōng）能（néng）有（yǒu）所不同（tóng），具体情况如下表所示：

 CW32L010 家族产品功能列（liè）表